Características
Gm: unidades de doble extremo bajo, doble extremo alto o medio puente
Rango de temperatura de funcionamiento - 40 a +125 °C
Cambiar parámetros Rs:
➢ Retraso típico de transmisión de 19ns
➢ Ancho mínimo de pulso de 10ns
➢ Coincidencia de retraso máximo de 5ns
➢ Distorsión máxima del ancho de pulso de 5ns
Inmunidad instantánea de modo común (cmti): 100 KV / US
La vida útil de la barrera de aislamiento es superior a 40 años.
Fuente de pico 4 - a, salida de absorción de pico 8 - a
Entrada compatible ttl y CMOS
El rango VCCI de entrada de 3v a 5,5v se conecta con los Controladores digitales y analógicos
Hasta 25v Vd fuente de alimentación de accionamiento de salida
Superposiciones programables y tiempo de estancamiento
Rechazo de impulsos de entrada y transiciones de ruido inferiores a 5ns
Desactivar rápidamente la secuencia de alimentación
Cumple con rohs, encapsulamiento NB soic - 16 y encapsulamiento WB SOIC-14
Aplicaciones
➢ Cargadores de baterías para hEv y vehículos eléctricos puros
➢ Convertidores aislados en fuentes de alimentación DC - DC y AC - DC
➢ Servidores, telecomunicaciones, ti e infraestructura industrial
➢ Inversores solares impulsados por motores y DC - AC
➢ Iluminación LED
➢ Calentamiento por inducción
➢ Fuente de alimentación ininterrumpida (ups)
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